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元件参数资料
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参数目录42196
> EPC2014 TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
型号:
EPC2014
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
EPC
描述:
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
EPC2014 PDF
应用说明
Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块
Paralleling eGaN? FETs
特色产品
EPC2014 40 V eGaN? FET
Demo Board EPC9101
标准包装
1
系列
eGaN®
FET 型
GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫欧 @ 5A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.48nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
300pF @ 20V
功率 - 最大
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
5-LGA
供应商设备封装
5-LGA(1.7x1.1)
包装
标准包装
其它名称
917-1018-6
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